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NE3514S02-T1C分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3514S02-T1C
廠商型號

NE3514S02-T1C
參數屬性

NE3514S02-T1C 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：HJ-FET NCH 10DB S02
功能描述

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
HJ-FET NCH 10DB S02
文件大小

269.67 Kbytes
頁面數量

8 頁
生產廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網
原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二
更新時間

2024-12-28 23:00:00

NE3514S02-T1C規(guī)格書詳情

NE3514S02-T1C屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產的NE3514S02-T1C晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產品屬性

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  • 產品編號：

    NE3514S02-T1C-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    20GHz

  • 增益：

    10dB

  • 額定電流（安培）：

    70mA

  • 噪聲系數：

    0.75dB

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應商器件封裝：

    S02

  • 描述：

    HJ-FET NCH 10DB S02

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