首頁>NE3512S02-T1D-A>規(guī)格書詳情
NE3512S02-T1D-A中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
NE3512S02-T1D-A |
功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
文件大小 |
270.66 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
CEL |
中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-9 22:59:00 |
人工找貨 | NE3512S02-T1D-A價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
NE3512S02-T1D-A
- 功能描述:
射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型:
pHEMT
- 頻率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪聲系數(shù):
正向跨導(dǎo)
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓:
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流:
3 A
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞薩) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7768 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
NA/ |
13250 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
2016+ |
TO-50 |
3000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
2020+ |
TO-50 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
65200 |
詢價(jià) | ||||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
20+ |
S02 |
10000 |
詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
25+ |
TO-50 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
TO-50 |
39903 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
TO-50 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
TO-50 |
56000 |
公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持 |
詢價(jià) |