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NE3510M04-A分立半導體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3510M04-A
廠商型號

NE3510M04-A

參數(shù)屬性

NE3510M04-A 封裝/外殼為SOT-343F;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 4V 4GHZ M04

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
FET RF 4V 4GHZ M04

文件大小

180.75 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2024-11-14 10:40:00

NE3510M04-A規(guī)格書詳情

NE3510M04-A屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3510M04-A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NE3510M04-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    4GHz

  • 增益:

    16dB

  • 額定電流(安培):

    97mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.45dB

  • 功率 - 輸出:

    11dBm

  • 封裝/外殼:

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M04

  • 描述:

    FET RF 4V 4GHZ M04

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
23+
NA/
9250
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票
詢價
NEC
SOT343
893993
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價
RENESAS/瑞薩
24+23+
SOT-343
12580
16年現(xiàn)貨庫存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品
詢價
CEL
22+
M04
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
RENESAS/瑞薩
22+
SOT343
40256
本公司只做原裝進口現(xiàn)貨
詢價
RENESAS/瑞薩
22+
SOT-343
60620
6000
詢價
NEC
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
RENESAS/瑞薩
22+
SOT343
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單!
詢價
RENESAS/瑞薩
21+
SOT343
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價
RENESAS/瑞薩
SOT343
貨真價實,假一罰十
25000
詢價