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NE3512S02-T1D-A_RENESAS/瑞薩_射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET高捷芯城電子

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  • 廠家型號:

    NE3512S02-T1D-A

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    Renesas(瑞薩)

  • 庫存數(shù)量:

    7768

  • 產(chǎn)品封裝:

    標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 生產(chǎn)批號:

    23+

  • 庫存類型:

    熱賣庫存

  • 更新時間:

    2025-1-13 17:05:00

  • 詳細信息
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原廠料號:NE3512S02-T1D-A品牌:Renesas(瑞薩)

支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。

  • 芯片型號:

    NE3512S02-T1D-A

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    CEL詳情

  • 廠商全稱:

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    8 頁

  • 文件大小:

    270.66 kb

  • 資料說明:

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    NE3512S02-T1D-A

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    傅小姐

  • 手機:

    13378407305

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-83062789

  • 傳真:

    0755-82550578

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強北街道華富路1006號航都大廈10層