首頁 >NE3512S02-T1D-A>規(guī)格書列表
零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
---|---|---|---|---|
NE3512S02-T1D-A | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR | CEL California Eastern Labs | CEL | |
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
CTOKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
CTOKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR | CEL California Eastern Labs | CEL |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號:
NE3512S02-T1D-A
- 功能描述:
射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型:
pHEMT
- 頻率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪聲系數(shù):
正向跨導(dǎo)
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓:
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流:
3 A
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞薩) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7768 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
Renesas(瑞薩) |
23+ |
原廠封裝 |
32078 |
10年以上分銷商,原裝進(jìn)口件,服務(wù)型企業(yè) |
詢價 | ||
RENESAS |
2016+ |
TO-50 |
3000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 | ||
原廠正品 |
23+ |
SMT |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
RENESAS |
2016+ |
TO-50 |
6528 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨 |
詢價 | ||
RENESAS |
20+ |
SMT-86 |
19570 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
RENESAS |
2020+ |
TO-50 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
65200 |
詢價 | ||||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
21+ |
TO-50 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 |
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