首頁 >NE3512S02-T1C-A>規(guī)格書列表
零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
---|---|---|---|---|
NE3512S02-T1C-A | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR | CEL California Eastern Labs | CEL | |
NE3512S02-T1C-A | 包裝:托盤 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:HJ-FET NCH 13.5DB S02 | CEL California Eastern Labs | CEL | |
CTOKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
CTOKuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR | CEL California Eastern Labs | CEL |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
NE3512S02-T1C-A
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
HFET
- 頻率:
12GHz
- 增益:
13.5dB
- 額定電流(安培):
70mA
- 噪聲系數(shù):
0.35dB
- 封裝/外殼:
4-SMD,扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
S02
- 描述:
HJ-FET NCH 13.5DB S02
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
21+ |
VQFN |
9800 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
S02 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
TO-50 |
39902 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
20+ |
SMT |
49000 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
原包 |
36200 |
一級代理/全新原裝現(xiàn)貨/長期供應(yīng)! |
詢價 | ||
NEC |
09+PBF |
S02 |
209 |
現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
TO-50 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
SMT4 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
NEC |
21+ |
TO-50 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 |
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