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NE3512S02-T1C分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE3512S02-T1C |
| 參數屬性 | NE3512S02-T1C 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 4-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
270.66 Kbytes |
| 頁面數量 |
8 頁 |
| 生產廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-30 17:30:00 |
NE3512S02-T1C規(guī)格書詳情
NE3512S02-T1C屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產的NE3512S02-T1C晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產品屬性
更多- 產品編號：
NE3512S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
12GHz
- 增益：
13.5dB
- 額定電流（安培）：
70mA
- 噪聲系數：
0.35dB
- 封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
- 供應商器件封裝：
S02
- 描述：
HJ-FET NCH 13.5DB S02
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
09+PBF |
S02 |
87 |
原裝現貨支持BOM配單服務 |
詢價 | ||
NEC |
06+ |
TO-50 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現貨 |
詢價 | ||
NEC |
589220 |
16余年資質 絕對原盒原盤 更多數量 |
詢價 | ||||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
TO-50 |
39902 |
原裝正品現貨 |
詢價 | ||
RENESAS |
2020+ |
T0-50 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進口原裝 終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
NEC |
22+ |
SMT |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價 | ||
CEL |
2022+ |
S02 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
NEC |
20+ |
SMT |
49000 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
原包 |
36200 |
一級代理/全新原裝現貨/長期供應! |
詢價 |
