首頁>NE3512S02>規(guī)格書詳情

NE3512S02分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3512S02
廠商型號

NE3512S02
參數(shù)屬性

NE3512S02 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：HJ-FET NCH 13.5DB S02
功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
HJ-FET NCH 13.5DB S02
文件大小

270.66 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二
更新時間

2024-12-29 17:30:00

NE3512S02規(guī)格書詳情

NE3512S02屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3512S02晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號：

    NE3512S02-T1C-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 額定電流（安培）：

    70mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.35dB

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應商器件封裝：

    S02

  • 描述：

    HJ-FET NCH 13.5DB S02

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS(瑞薩)/IDT
20+
S02
10000
詢價
RENESAS
SMT86
893993
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價
N/A
11+19+
NA
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
RENESAS/瑞薩
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
 詢價
NEC
22+
SMT
3000
原裝正品,支持實單
 詢價
RENESAS/瑞薩
22+
TO-50
39903
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
NEC
2023+
TO-50
1045
一級代理優(yōu)勢現(xiàn)貨,全新正品直營店
 詢價
原廠正品
23+
SMT
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
NEC
24+
S02
311
詢價
RENESAS
2020+
SMT86
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價

相關庫存

更多