NE3512S02-T1D-A_原廠正品_射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET齊創(chuàng)科技

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  • 廠家型號:

    NE3512S02-T1D-A

  • 產品分類:

    IC芯片

  • 生產廠商:

    原廠正品

  • 庫存數量:

    5000

  • 產品封裝:

    SMT

  • 生產批號:

    23+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-12-31 15:36:00

  • 詳細信息
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原廠料號:NE3512S02-T1D-A品牌:原廠正品

原裝正品,假一罰十

  • 芯片型號:

    NE3512S02-T1D-A

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    CEL詳情

  • 廠商全稱:

    California Eastern Labs

  • 內容頁數:

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    270.66 kb

  • 資料說明:

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    NE3512S02-T1D-A

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數:

    正向跨導

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應商

  • 企業(yè):

    齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯系人:

    王先生/綦先生【原裝正品】

  • 手機:

    18616352679

  • 詢價:
  • 電話:

    021-32301707

  • 地址:

    上海市靜安區(qū)海寧路1399號/北京市海淀區(qū)中海園電子市場/青島市城陽區(qū)正陽路205號