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首頁(yè)>NE3514S02-T1D-A>芯片詳情
NE3514S02-T1D-A_NEC/瑞薩_射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET宏興瑞科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
NE3514S02-T1D-A
- 功能描述:
射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型:
pHEMT
- 頻率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪聲系數(shù):
正向跨導(dǎo)
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓:
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流:
3 A
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市宏興瑞科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱小姐
- 手機(jī):
18923720076
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-23946805
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)205棟3樓A05
相近型號(hào)
- NE3515S02-T1C-A
- NE3514S02A
- NE3514S02
- NE3515S02T1DA
- NE3514302
- NE3515S02-T1D-A
- NE3516S02
- NE3513M04-T2B-AIC
- NE3516S02A
- NE3513M04-T2B-A
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- NE3513M04-A
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- NE3517S03-T1C-A
- NE3517S03-T1D-A
- NE3512S02-T1D-A/JT
- NE3520
- NE3520S03
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- NE3520S03-T1C-A
- NE3512S02-T1C
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- NE3512S02-T1B
- NE3521M04-A
- NE3512S02-A
- NE3521M04T2A
- NE3512S02A
- NE3521M04-T2-A
- NE3512S02
- NE353N
- NE3511S02-T1D-A
- NE3560M06-T2
- NE3511S02-T1D
- NE358
- NE3511S02-T1C-A