首頁>NE3513M04-T2B-A>芯片詳情

NE3513M04-T2B-A 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 RENESAS/瑞薩

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    NE3513M04-T2B-A

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    RENESAS/瑞薩

  • 庫存數(shù)量：

    8500

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT343

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-29 13:38:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NE3513M04-T2B-A品牌：RENESAS/瑞薩

只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!

  • 芯片型號：

    NE3513M04-T2B-A

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    1271.51 kb

  • 資料說明：

    N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NE3513M04-T2B-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    N 溝道 GaAs HJ-FET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13dB

  • 額定電流（安培）：

    60mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.65dB

  • 功率 - 輸出：

    125mW

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    4 個(gè)超微型模具

  • 描述：

    FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市艾宇特電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李 先生

  • 手機(jī)：

    15817287769

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83224028/83201767

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號華勻1棟5樓B14

相近型號