首頁>NE3512S02-T1C-A>詳情

NE3512S02-T1C 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 RENESAS/瑞薩

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    NE3512S02-T1C

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    RENESAS/瑞薩

  • 庫存數(shù)量：

    22356

  • 產(chǎn)品封裝：

    NA/

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-2-19 15:17:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NE3512S02-T1C品牌：RENESAS/瑞薩

優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票

  • 芯片型號：

    NE3512S02-T1C

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    200.76 kb

  • 資料說明：

    C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    NE3512S02-T1C-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 額定電流（安培）：

    70mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.35dB

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S02

  • 描述：

    HJ-FET NCH 13.5DB S02

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市得捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生

  • 手機(jī)：

    19076157484

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82539558

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號世貿(mào)廣場A座5層

相近型號