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NE3510M04-T2-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3510M04-T2-A
廠商型號

NE3510M04-T2-A

參數(shù)屬性

NE3510M04-T2-A 封裝/外殼為SOT-343F;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 4V 4GHZ M04

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
FET RF 4V 4GHZ M04

封裝外殼

SOT-343F

文件大小

180.75 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2025-3-10 10:23:00

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NE3510M04-T2-A規(guī)格書詳情

NE3510M04-T2-A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3510M04-T2-A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NE3510M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    4GHz

  • 增益:

    16dB

  • 額定電流(安培):

    97mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.45dB

  • 封裝/外殼:

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M04

  • 描述:

    FET RF 4V 4GHZ M04

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS
24+
SMT-86
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
詢價
RENESAS/瑞薩
22+
SOT-343
60620
4900
詢價
NEC
22+
SMT
3000
原裝正品,支持實單
詢價
24+
N/A
69000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
詢價
NEC
2022
NEC
3080
原裝正品
詢價
NEC
24+
SMT86
598000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價
CEL
23+
S02
9000
原裝正品,支持實單
詢價
NEC
2022+
80
全新原裝 貨期兩周
詢價
RENESAS/瑞薩
23+
SOT-343
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
RENESAS
23+
SMT-86
89630
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
詢價