NE3511S02分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NE3511S02 |
參數(shù)屬性 | NE3511S02 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC AMP RF LNA 13.5DB S02 |
功能描述 | X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
封裝外殼 | 4-SMD,扁平引線 |
文件大小 |
288.54 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
企業(yè)簡稱 |
CEL |
中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-30 18:19:00 |
人工找貨 | NE3511S02價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NE3511S02規(guī)格書詳情
NE3511S02屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3511S02晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
X TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
FEATURES
? Super low noise figure and high associated gain
NF = 0.30 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 12 GHz
? Micro-X plastic (S02) package
APPLICATIONS
? X to Ku-band DBS LNB
? Other X to Ku-band communication systems
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NE3511S02-T1C-A
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
HFET
- 頻率:
12GHz
- 增益:
13.5dB
- 額定電流(安培):
70mA
- 噪聲系數(shù):
0.3dB
- 封裝/外殼:
4-SMD,扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
S02
- 描述:
IC AMP RF LNA 13.5DB S02
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
23+ |
SMT-86 |
50000 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
20+ |
S02 |
2000 |
詢價 | |||
NEC |
1742+ |
SMT |
98215 |
只要網(wǎng)上有絕對有貨!只做原裝正品! |
詢價 | ||
RENESAS |
連接器 |
123500 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
RENESAS/瑞薩 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價 | ||
NEC |
22+ |
SMT |
3000 |
原裝正品,支持實單 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
TO-50 |
39902 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SMT86 |
598000 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
T0-50 |
15000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
詢價 |