首頁>NE3512S02-T1C-A>詳情

NE3512S02-T1C 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 RENESAS/瑞薩

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    NE3512S02-T1C

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    RENESAS/瑞薩

  • 庫存數(shù)量：

    15000

  • 產(chǎn)品封裝：

    T0-50

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-16 16:49:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：NE3512S02-T1C品牌：RENESAS/瑞薩

全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)

  • 芯片型號(hào)：

    NE3512S02-T1C

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    200.76 kb

  • 資料說明：

    C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NE3512S02-T1C-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    HFET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 額定電流（安培）：

    70mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.35dB

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S02

  • 描述：

    HJ-FET NCH 13.5DB S02

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市拓億芯電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉先生

  • 手機(jī)：

    13510175077

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82777855/0755-82702619

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興西路華康大廈2棟603室

相近型號(hào)