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NE3512S02-T1C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3512S02-T1C
廠商型號

NE3512S02-T1C

參數(shù)屬性

NE3512S02-T1C 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:HJ-FET NCH 13.5DB S02

功能描述

C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

200.76 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-6 9:30:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE3512S02-T1C-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    12GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 額定電流(安培):

    70mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.35dB

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應商器件封裝:

    S02

  • 描述:

    HJ-FET NCH 13.5DB S02

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
09+PBF
S02
87
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務
詢價
NEC
22+
SMT
25000
只有原裝原裝,支持BOM配單
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CEL
22+
S02
9000
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