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NE3512S02-T1D-A_RENESAS/瑞薩_射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET中天科工一部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NE3512S02-T1D-A
- 功能描述:
射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
- RoHS:
否
- 制造商:
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型:
pHEMT
- 頻率:
500 MHz to 3 GHz
- 增益:
10 dB
- 噪聲系數(shù):
正向跨導(dǎo)
- gFS(最大值/最小值):
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓:
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流:
3 A
- 最大工作溫度:
+ 150 C
- 功率耗散:
10 W
供應(yīng)商
- 企業(yè):
中天科工半導(dǎo)體(深圳)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
李先生
- 手機:
13128990370
- 詢價:
- 電話:
13128990370/微信同號
- 傳真:
原裝正品
- 地址:
深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B
相近型號
- NE3513M04-A
- NE3512S02
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