首頁>NE3512S02-T1D-A>芯片詳情

NE3512S02-T1D-A_RENESAS/瑞薩_射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET賽能新源

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    NE3512S02-T1D-A

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    RENESAS/瑞薩

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    56000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-50

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-1 10:54:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：NE3512S02-T1D-A品牌：RENESAS/瑞薩

公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持

  • 芯片型號(hào)：

    NE3512S02-T1D-A

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    CEL詳情

  • 廠商全稱：

    California Eastern Labs

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    270.66 kb

  • 資料說明：

    HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NE3512S02-T1D-A

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市賽能新源半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱樺

  • 手機(jī)：

    13510673492

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13510673492

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路華康大院2棟518

相近型號(hào)