NE3514S02分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE3514S02 |
| 參數屬性 | NE3514S02 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：HJ-FET NCH 10DB S02 |
| 功能描述 | K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封裝外殼 | 4-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
269.67 Kbytes |
| 頁面數量 |
8 頁 |
| 生產廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-9 22:59:00 |
| 人工找貨 | NE3514S02價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NE3514S02規(guī)格書詳情
NE3514S02屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產的NE3514S02晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產品屬性
更多- 產品編號：
NE3514S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
20GHz
- 增益：
10dB
- 額定電流（安培）：
70mA
- 噪聲系數：
0.75dB
- 封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
- 供應商器件封裝：
S02
- 描述：
HJ-FET NCH 10DB S02
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
NA/ |
350 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
RENESAS |
2020+ |
SMD |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
2023+ |
SMD |
6895 |
原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢現貨 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SMD |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
N/A |
NA |
188 |
詢價 | ||||
RENESAS/瑞薩 |
1301+ |
SMT86 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現貨 |
詢價 | ||
N/A |
22+ |
NA |
166066 |
原裝正品現貨,可開13個點稅 |
詢價 | ||
原廠正品 |
23+ |
SMT |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
S02 |
439 |
詢價 | |||
NEC |
24+ |
SMD |
18500 |
授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特價銷售 |
詢價 |
