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NE3513M04-T2B分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE3513M04-T2B |
| 參數屬性 | NE3513M04-T2B 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD |
| 功能描述 | N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
| 封裝外殼 | 4-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
1.27151 Mbytes |
| 頁面數量 |
9 頁 |
| 生產廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-6 9:14:00 |
| 人工找貨 | NE3513M04-T2B價格和庫存，歡迎聯系客服免費人工找貨 |
NE3513M04-T2B規(guī)格書詳情
NE3513M04-T2B屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產的NE3513M04-T2B晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產品屬性
更多- 產品編號：
NE3513M04-T2B-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
N 溝道 GaAs HJ-FET
- 頻率：
12GHz
- 增益：
13dB
- 額定電流（安培）：
60mA
- 噪聲系數：
0.65dB
- 功率 - 輸出：
125mW
- 封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
- 供應商器件封裝：
4 個超微型模具
- 描述：
FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CEL |
25+ |
4-SMD 扁平引線 |
9350 |
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