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NE4210S01-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
NE4210S01-T1 |
參數(shù)屬性 | NE4210S01-T1 封裝/外殼為4-SMD;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:HJ-FET 13DB S01 |
功能描述 | X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
封裝外殼 | 4-SMD |
文件大小 |
65.23 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
16 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEC【瑞薩】 |
中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-20 23:00:00 |
人工找貨 | NE4210S01-T1價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多NE4210S01-T1規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
The NE4210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
? Super Low Noise Figure & High Associated Gain NF = 0.5 dB TYP. Ga = 13.0 dB TYP. @f = 12 GHz
? Gate Length: Lg ≤ 0.20 μm
? Gate Width : Wg = 160 μm
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
NE4210S01-T1B
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
HFET
- 頻率:
12GHz
- 增益:
13dB
- 額定電流(安培):
15mA
- 噪聲系數(shù):
0.5dB
- 封裝/外殼:
4-SMD
- 供應(yīng)商器件封裝:
SMD
- 描述:
HJ-FET 13DB S01
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
24+ |
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7350 |
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詢價(jià) | ||
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
20+ |
SMD |
4000 |
詢價(jià) | |||
NEC |
23+ |
SMT86 |
734 |
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詢價(jià) |