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NE425S01-T1B中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NE425S01-T1B |
| 功能描述 | C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 文件大小 |
57.5 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NEC【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-24 22:30:00 |
| 人工找貨 | NE425S01-T1B價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE425S01-T1B規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE425S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
? Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.60 dB TYP., Ga = 12.0 dB TYP. at f = 12 GHz
? Gate Length: Lg ≤ 0.20 μm
? Gate Width : Wg = 200 μm
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NE425S01-T1B
- 功能描述：
射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技術(shù)類型：
pHEMT
- 頻率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪聲系數(shù)：
正向跨導(dǎo)
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源電壓
- 閘/源擊穿電壓：
- 8 V
- 漏極連續(xù)電流：
3 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2020+ |
SO86 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SO86 |
20000 |
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅??！ |
詢價(jià) | ||
NEC |
10+ |
SO86 |
1500 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SO86 |
12000 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
NEC |
1815+ |
SO86 |
6528 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
NA/ |
4415 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SO86 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SO86 |
999999 |
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+23+ |
SO86 |
29176 |
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
SO86 |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) |
