首頁>NE425S01>規(guī)格書詳情

NE425S01中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE425S01
廠商型號

NE425S01

功能描述

C to KU BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

文件大小

52.2 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-9 15:53:00

NE425S01規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE425S01 is a Hetero-Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and other commercial applications.

NECs stringent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

? SUPER LOW NOISE FIGURE: 0.60 dB TYP at 12 GHz

? HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.0 dB TYP at f = 12 GHz

? GATE LENGTH: ≤ 0.20 μm

? GATE WIDTH: 200 μm

? LOW COST PLASTIC PACKAGE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE425S01

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
10+
SO86
1500
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
NEC
SO86
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
詢價(jià)
NEC
23+
NA
10436
專做原裝正品,假一罰百!
詢價(jià)
NEC
24+
SO86
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
NEC
SO86
699839
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)
原廠正品
23+
SMD
5000
原裝正品,假一罰十
詢價(jià)
NEC
24+
SO86
1000
詢價(jià)
NEC
23+
SO86
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
詢價(jià)
NEC
2020+
SO86
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
NEC
19+
SO86
20000
1200
詢價(jià)