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NE55410GR-T3-AZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NE55410GR-T3-AZ |
| 參數(shù)屬性 | NE55410GR-T3-AZ 封裝/外殼為16-DFF，裸露焊盤(pán)；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP |
| 功能描述 | N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER |
| 封裝外殼 | 16-DFF，裸露焊盤(pán) |
| 文件大小 |
558.19 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-4 17:08:00 |
NE55410GR-T3-AZ規(guī)格書(shū)詳情
NE55410GR-T3-AZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE55410GR-T3-AZ晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NE55410GR-T3-AZ
- 制造商：
CEL
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類(lèi)型：
LDMOS
- 頻率：
2.14GHz
- 增益：
13.5dB
- 額定電流（安培）：
250mA，1A
- 功率 - 輸出：
35.4dBm
- 封裝/外殼：
16-DFF，裸露焊盤(pán)
- 供應(yīng)商器件封裝：
16-HTSSOP
- 描述：
FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HTSSOP |
NEC |
699839 |
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