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NE5550779A-T1-A

Silicon Power LDMOS FET

FEATURES ?HighOutputPower:Pout=38.5dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) ?Highpoweraddedefficiency:ηadd=66TYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) ?HighLineargain:GL=22.0dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE5550779A-T1-A

Silicon Power LDMOS FET

CEL

California Eastern Labs

NE5550779A-T1-A

包裝：托盤 封裝/外殼：4-SMD，扁平引線 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

CEL

California Eastern Labs

NE5550779A-T1

SiliconPowerLDMOSFET

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SiliconPowerLDMOSFET

CEL

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SiliconPowerLDMOSFET

CEL

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SiliconPowerLDMOSFET

FEATURES ?HighOutputPower:Pout=38.5dBmTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) ?Highpoweraddedefficiency:ηadd=66TYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f=460MHz,Pin=25dBm) ?HighLineargain:GL=22.0dBTYP.(VDS=7.5V,IDset=140mA,f

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NE5550779A-T1-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    900MHz

  • 增益：

    22dB

  • 額定電流（安培）：

    2.1A

  • 功率 - 輸出：

    38.5dBm

  • 封裝/外殼：

    4-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    79A

  • 描述：

    FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
CEL
2022+
79A
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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RENESAS(瑞薩)/IDT
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5000
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2年內(nèi)
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英博爾原裝優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨訂貨渠道商
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CEL
22+
79A
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
CEL
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79A
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原裝正品，支持實(shí)單
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