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NE5550779A-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
NE5550779A-T1 |
參數(shù)屬性 | NE5550779A-T1 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG |
功能描述 | Silicon Power LDMOS FET |
封裝外殼 | 4-SMD,扁平引線 |
文件大小 |
3.20669 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
17 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-12 19:25:00 |
人工找貨 | NE5550779A-T1價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NE5550779A-T1規(guī)格書詳情
FEATURES
? High Output Power : Pout = 38.5 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)
? High power added efficiency : ηadd = 66 TYP. (VDS= 7.5 V, IDset= 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 25 dBm)
? High Linear gain : GL = 22.0 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 140 mA, f = 460 MHz, Pin = 10 dBm)
? High ESD tolerance
? Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
NE5550779A-T1-A
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
900MHz
- 增益:
22dB
- 額定電流(安培):
2.1A
- 功率 - 輸出:
38.5dBm
- 封裝/外殼:
4-SMD,扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
79A
- 描述:
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
1010+ |
CAN |
700 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
20+ |
- |
5000 |
詢價 | |||
Renesas |
2年內(nèi) |
N/A |
16000 |
英博爾原裝優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨訂貨渠道商 |
詢價 | ||
RENESAS |
16+ |
79A |
80 |
原裝 |
詢價 | ||
Renesas |
24+ |
4-SMD |
20035 |
專注Renesas品牌原裝正品代理分銷,認準水星電子 |
詢價 | ||
RENESAS |
24+ |
NA |
30617 |
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RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA/ |
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
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RENESAS |
24+ |
CAN |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售 |
詢價 |