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NE6500379A-T1中文資料CEL數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NE6500379A-T1
廠商型號(hào)

NE6500379A-T1

功能描述

3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

文件大小

162.42 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 23:00:00

NE6500379A-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NECs NE6500379A is a 3 W GaAs MESFET designed for medium power Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and return path MMDS transmitter applications. It is capable of delivering 3 Watts of output power with high linear gain, high efficiency and excellent linearity. Reliability and performance uniformity are assured by NECs stringent quality and control procedures

FEATURES

? LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE Available on Tape and Reel

? USABLE TO 2.7 GHz: Fixed Wireless Access, ISM, WLL, MMDS, IMT-2000, PCS

? HIGH OUTPUT POWER: 35 dBm TYP

? HIGH LINEAR GAIN: 10 dB TYP at 1.9 GHz

? LOW THERMAL RESISTANCE: 5 C/W

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NE6500379A-T1

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
23+
NA/
3257
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
詢價(jià)
NEC
04+PB
3M
776
詢價(jià)
NEC
十字架
699839
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
詢價(jià)
NEC
589220
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤 更多數(shù)量
詢價(jià)
24+
3000
公司存貨
詢價(jià)
NEC
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
原廠正品
23+
SOP8
5000
原裝正品,假一罰十
詢價(jià)
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)
CEL
2022+
3M
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
原裝
1923+
原廠封裝
8600
萊克訊原廠貨源每一片都來自原廠原裝現(xiàn)貨薄利多
詢價(jià)