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NE6500379A-T1

3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET

DESCRIPTION TheNE6500379Aisa3WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobilecommunicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering3wattofoutputpower(CW)withhighlineargain,highefficiencyandexcellentdistortion.Reliabilityandper

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NE6500379A-T1

3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

DESCRIPTION NECsNE6500379Aisa3WGaAsMESFETdesignedformediumpowerFixedWirelessAccess,ISM,WLL,PCS,IMT-2000,andreturnpathMMDStransmitterapplications.Itiscapableofdelivering3Wattsofoutputpowerwithhighlineargain,highefficiencyandexcellentlinearity.Reliability

CEL

California Eastern Labs

NE6500379A-T1

N-CHANNEL GaAs MES FET

N-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE6500379Aisa3WGaAsMESFETdesignedformiddlepowertransmitterapplicationsformobile communicationhandsetandbasestationsystems.Itiscapableofdelivering3wattofoutputpower(CW)withhigh lineargain,highefficiencyandexcellentdis

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    NE6500379A-T1

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
3000
公司存貨
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原廠正品
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原裝進(jìn)口原廠原包接受訂貨
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更多NE6500379A-T1供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 14:00:00