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NE661M04-T2-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION NECsNE661M04isfabricatedusingNECsUHS025GHzfTwaferprocess.Withatypicaltransitionfrequencyof25GHztheNE661M04isusableinapplicationsfrom100MHzto10GHz.TheNE661M04providesexcellentlowvoltage/lowcurrentperformance. NECsnewlowprofile/flatleadstyle

CEL

California Eastern Labs

NE661M04-T2-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION NECsNE661M04isfabricatedusingNECsUHS025GHzfTwaferprocess.Withatypicaltransitionfrequencyof25GHztheNE661M04isusableinapplicationsfrom100MHzto10GHz.TheNE661M04providesexcellentlowvoltage/lowcurrentperformance. NECsnewlowprofile/flatleadstyle

CEL

California Eastern Labs

NE661M04-T2

NPNSILICONRFTRANSISTORFORLOWCURRENT,LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATIONFLAT-LEAD4-PINTHINSUPERMINI-MOLD

FEATURES ?Lownoiseandhighgainwithlowcollectorcurrent ?NF=1.2dB,Ga=16dBTYP.@f=2GHz,VCE=2V,IC=2mA ?Maximumstablepowergain:MSG=22dBTYP.@f=2GHz,VCE=2V,IC=5mA ?fT=25GHztechnology ?Flat-lead4-pinthinsupermini-mold(t=0.59mm)

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NE661M04-T2-A

  • 功能描述：

    射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Single

  • 晶體管極性：

    NPN

  • 最大工作頻率：

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    0.15 A

  • 功率耗散：

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 封裝/箱體：

    SOT-223

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進口原裝 終端工廠免費送樣
 詢價
CEL/NEC
23+
SOT-343
26520
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
NEC
23+
SOT-343
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
NEC
23+
SOT343
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
NEC
02+
SOT343
3000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
NEC
2023+
SOT343
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
 詢價
NEC
24+
SOT-343SOT-323-4
8336
新進庫存/原裝
 詢價
原廠正品
23+
SOT343
60000
原裝正品,假一罰十
 詢價
NEC
2020+
SOT
50000
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
NEC
23+
SOT-4
12000
全新原裝假一賠十
 詢價
更多NE661M04-T2-A供應商 更新時間2025-5-14 15:36:00

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