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NE6500379A-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE6500379A-T1
廠商型號

NE6500379A-T1

功能描述

3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET

文件大小

88.52 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-26 23:00:00

NE6500379A-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE6500379A is a 3W GaAs MESFET designed for middle power transmitter applications for mobile communication handset and base station systems. It is capable of delivering 3 watt of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and excellent distortion. Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s stringent quality and control procedures.

FEATURES

? High Output Power : Po (1dB) = +35 dBm typ.

? High Linear Gain : 10 dB typ.

? High Power Added Efficiency: 50 typ. @VDS = 6 V, IDset = 500 mA, f = 1.9 GHz

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE6500379A-T1

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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