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NE6501077

10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NE6501077

GaAs MES FET

10WL,S-BANDPOWERGaAsFET N-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNE6501077ispowerGaAsFETwhichprovides highgain,highefficiencyandhighoutputpowerinL,Sband. Toreducethermalresistance,thedevicehasaPHS (PlatedHeatSink)structure. FEATURES ?ClassAoperation ?H

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE6501077

L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

CEL

California Eastern Labs

NE6501077_00

L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

DESCRIPTION TheNE6501077isamediumpowerGaAsMESFETdesignedforuptoa10Woutputstageorasadriverforhighpowerdevices.ThedevicehasnointernalmatchingandcanbeusedfromUHFfrequenciesupto3.0GHz.Thechipsusedinthisseriesoffersuperiorreliabilityandconsistentper

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    NE6501077

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEC
23+
1688
房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633
 詢價(jià)
NEC
新
7
全新原裝 貨期兩周
 詢價(jià)
NEC
95+
6000
絕對(duì)原裝自己現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NEC
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
NEC
1923+
原廠封裝
8600
萊克訊原廠貨源每一片都來(lái)自原廠原裝現(xiàn)貨薄利多
 詢價(jià)
NEC
2023+
268
詢價(jià)
NEC
23+
SMD
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
NEC
21+
SMD
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
NEC
2022
SMD
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價(jià)
NEC
SMD
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
更多NE6501077供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-4 10:30:00

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