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NE651R479A-T1-A分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE651R479A-T1-A
廠商型號

NE651R479A-T1-A

參數(shù)屬性

NE651R479A-T1-A 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 8V 1.9GHZ 79A

功能描述

MEDIUM POWER GaAs HJ-FET
FET RF 8V 1.9GHZ 79A

文件大小

501.77 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2024-12-23 22:50:00

NE651R479A-T1-A規(guī)格書詳情

NE651R479A-T1-A屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE651R479A-T1-A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

DESCRIPTION

NECs NE651R479A is a GaAs HJ-FET designed for medium power mobile communications, Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and MMDS transmitter and subscriber applications. It is capable of delivering 0.5 Watts of output power (CW) at 3.5 V, and 1 Watt of output power (CW) at 5 V with high linear gain, high efficiency, and excellent linearity. Reliability and performance uniformity are assured by NECs stringent quality and control procedures.

FEATURES

? LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE Available on Tape and Reel

? USABLE TO 3.7 GHz: Fixed Wireless Access, ISM, WLL, MMDS, IMT-2000, PCS

? HIGH OUTPUT POWER:

30 dBm TYP with 5.0 V Vdc

27 dBm TYP with 3.5 V Vdc

? HIGH LINEAR GAIN: 12 dB TYP at 1.9 GHz

? LOW THERMAL RESISTANCE: 30°C/W

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NE651R479A-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    1.9GHz

  • 增益:

    12dB

  • 額定電流(安培):

    1A

  • 功率 - 輸出:

    27dBm

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應商器件封裝:

    79A

  • 描述:

    FET RF 8V 1.9GHZ 79A

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MAX
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12000
全新原裝假一賠十
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2020+
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