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NE68839-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE68839-T1
廠商型號

NE68839-T1

功能描述

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件大小

231.06 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-9 23:00:00

NE68839-T1規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE688 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low cost amplifier and oscillator applications. Low noise figures, high gain and high current capability equate to wide dynamic range and excellent linearity. NE688s low phase noise distortion and high fT make it an excellent choice for oscillator applications up to 5 GHz. The NE688 series is available in six different low cost plastic surface mount package styles, and in chip form.

FEATURES

? LOW PHASE NOISE DISTORTION

? LOW NOISE: 1.5 dB at 2.0 GHz

? LOW VOLTAGE OPERATION

? LARGE ABSOLUTE MAXIMUM COLLECTOR

CURRENT: IC MAX = 100 mA

? AVAILABLE IN SIX LOW COST PLASTIC SURFACE

MOUNT PACKAGE STYLES

? ALSO AVAILABLE IN CHIP FORM

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE68839-T1

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
23+
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NEC
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SOT423
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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