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NE8500199

1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION TheNE8500199PowerGaAsFETcovers2GHzto10GHzfrequencyrangeforcommercialamplifier,oscillatorapplicationsandsoon. NE8500100isthetwo-cellsrecessedgatechipusedin‘99’package. ThedeviceincorporatesTi-Algateandsilicondioxideglassivation.Toreducethethe

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NE8500199

GaAs MES FET

1WC-BANDPOWERGaAsFET N-CHANNELGaAsMESFET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE8500199

C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NE8500199

C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    NE8500199

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 1W C Band MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEC
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更多NE8500199供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-6 11:00:00