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NE850R599

GaAs MES FET

TheNE850R599powerGaAsFETcovers2GHzto10GHzfrequencyrangeforcommercialamplifier,oscillatorapplicationsandsoon. ThedeviceincorporatesTi-AIgateandsilicondioxideglassivation.Toreducethethermalresistance,thedevicehasaPHS.(PlatedHeatSink) NEC’sstrigentquality

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE850R599A

N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION TheNE850R599ApowerGaAsFETcovers2GHzto10GHzfrequencyrangeforcommercialamplifier,oscillatorapplicationsandsoon. ThedeviceincorporatesTi-AIgateandsilicondioxideglassivation.Toreducethethermalresistance,thedevicehasaPHS.(PlatedHeatSink) NEC’sstr

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NE850R599A

C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

NE850R599A

C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

CEL

California Eastern Labs

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    NE850R599

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 0.5W C-Band MESFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導(dǎo)

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

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更多NE850R599供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 14:02:00

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