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NE851M33-T3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NE851M33-T3
廠商型號(hào)

NE851M33-T3
參數(shù)屬性

NE851M33-T3 封裝/外殼為3-SMD，扁平引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI
功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR
封裝外殼

3-SMD，扁平引線
文件大小

242.77 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-23 22:30:00
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NE851M33-T3規(guī)格書(shū)詳情

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE

3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33, 0804 PKG)

FEATURES

? Low phase distortion, low voltage operation

? Ideal for OSC applications

? 3-pin super lead-less minimold (M33, 0804 PKG) package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NE851M33-T3-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    5.5V

  • 頻率 - 躍遷：

    4.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值：

    130mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 5mA，1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-SMD，扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    3 針 SuperMiniMold（M33）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
24+
SOT423
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢價(jià)
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19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
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SOT-523
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原廠原封
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