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NE85633-T1B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE85633-T1B |
| 參數(shù)屬性 | NE85633-T1B 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 |
| 功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
831.88 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
26 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-22 23:00:00 |
| 人工找貨 | NE85633-T1B價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NE85633-T1B規(guī)格書詳情
NE85633-T1B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE85633-T1B晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NE85633-T1B
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
- 頻率 - 躍遷：
7GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
- 增益：
9dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 20mA，10V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
NA/ |
30 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SOT-89 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
NEC(VA) |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SOT-89 |
2987 |
只售原裝自家現(xiàn)貨!誠信經(jīng)營!歡迎來電! |
詢價 | ||
CEL |
24+ |
原廠原封 |
4000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
CEL |
23+ |
SOT-23-3 |
26690 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
NEC |
22+ |
SOT89 |
3000 |
原裝正品,支持實單 |
詢價 | ||
CEL |
22+ |
SOT89 |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價 | ||
NECELECTRONI |
6000 |
面議 |
19 |
DIP/SMD |
詢價 | ||
RENESAS |
21+ |
SOT23-3 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 |
