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NE856M13中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE856M13
廠商型號

NE856M13

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR

文件大小

19.26 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-11 17:10:00

NE856M13規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE856M13 transistor is designed for low cost amplifier and oscillator applications. Low noise figure, high gain and high current capability equate to wide dynamic range and excellent linearity. NECs new low profile/flat lead style M13 package is ideal for todays portable wireless applications. The NE856 is also available in chip, Micro-x, and eight different low cost plastic surface mount package styles.

FEATURES

? NEW MINIATURE M13 PACKAGE:

– Small transistor outline –

1.0 X 0.5 X 0.5 mm

– Low profile / 0.50 mm package height

– Flat lead style for better RF performance

? LOW NOISE FIGURE:

NF = 1.4 dB at 1 GHz

? HIGH COLLECTOR CURRENT:

IC MAX = 100 mA

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE856M13

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo-Noise Hi-Gain

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS
23+
SOT-523
63000
原裝正品現(xiàn)貨
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NEC
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