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NE856M13

NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNE856M13transistorisdesignedforlowcostamplifierandoscillatorapplications.Lownoisefigure,highgainandhighcurrentcapabilityequatetowidedynamicrangeandexcellentlinearity.NECsnewlowprofile/flatleadstyleM13packageisidealfortodaysportablewireless

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NE856M13

NPN SILICON TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

詳細參數(shù)

  • 型號：

    NE856M13

  • 功能描述：

    射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo-Noise Hi-Gain

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 配置：

    Single

  • 晶體管極性：

    NPN

  • 最大工作頻率：

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    0.15 A

  • 功率耗散：

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 封裝/箱體：

    SOT-223

  • 封裝：

    Reel

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更多NE856M13供應商 更新時間2025-1-10 16:15:00

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