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NE97733分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE97733
廠商型號

NE97733

參數(shù)屬性

NE97733 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

功能描述

PNP SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

45.92 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-15 16:31:00

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NE97733規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE97733 PNP silicon transistor is designed for ultrahigh speed current mode switching applications and microwave amplifiers up to 3.5 GHz. The NE97733 offers excellent performance and reliability at low cost.

FEATURES

? HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:

fT = 8.5 GHz TYP

? HIGH SPEED SWITCHING CHARACTERISTICS

? NPN COMPLIMENT AVAILABLE: NE68133

? HIGH INSERTION POWER GAIN:

|S21E|2 = 12 dB at 1 GHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE97733-T1B-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    8.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB @ 1GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 20mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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