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NES1823S-45中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NES1823S-45
廠商型號

NES1823S-45

功能描述

GaAs FET 45 W L, S-BAND SINGLE-END POWER GaAs FET

文件大小

239.18 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-23 23:00:00

NES1823S-45規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NES1823S-45 is a 45 W single-end type GaAs FET designed for high power transmitter applications for WCDMA

(IMT-2000) base station systems. It operates at 12 V and is capable of delivering 45 W of output power (CW)

with high linear gain, high efficiency and low distortion. Its primary band is 1.8 to 2.3 GHz. The device employs 0.9 μm

Tungsten Silicide gates, via holes, plated heatsink, and silicon dioxide passivation for superior performance, thermal

characteristics, and reliability.

FEATURES

? Single-end type GaAs FET

? VDS = 12 V operation

? High output power: Pout = 45 W TYP.

? High linear gain : GL = 13.5 dB TYP.

? High power added efficiency: ηadd = 53 TYP. @ VDS = 12 V, IDset = 1 A, f = 2.17 GHz

? Hollow plastic package

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