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NESG2031M16-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
NESG2031M16-A |
| 功能描述 | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG) |
| 文件大小 |
119.15 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
NEC【瑞薩】 |
| 中文名稱(chēng) | 日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-21 16:42:00 |
NESG2031M16-A規(guī)格書(shū)詳情
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
FEATURES
? The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification
NF = 0.8 dB TYP., Ga = 17.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 5.2 GHz
? Maximum stable power gain: MSG = 21.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
? 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 PKG)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NESG2031M16-A
- 功能描述：
射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤(pán) 更多數(shù)量 |
詢價(jià) | ||||
RENESAS |
19+ |
SOT343 |
87069 |
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠； |
詢價(jià) | ||
NEC |
SOT563 |
30000 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
NEC |
17+ |
SOT343 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SOT-343 |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
CEL |
24+ |
原廠原裝 |
5000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SMD |
16200 |
新進(jìn)庫(kù)存/原裝 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
SOT-523 |
54258 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
NEC |
2020+ |
SOT343 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) |
