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NESG2031M16-A

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)

NPNSiGeRFTRANSISTORFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG) FEATURES ?Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.8dBTYP.,Ga=17.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NESG2031M16-A

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG2031M16

NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR

NPNSiGeRFTRANSISTORFOR LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG) FEATURES ?Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.8dBTYP.,Ga=17.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.@

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG2031M16

NPNSiGeRFTRANSISTORFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG)

NPNSiGeRFTRANSISTORFORLOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PKG) FEATURES ?Thedeviceisanidealchoiceforlownoise,high-gainamplification NF=0.8dBTYP.,Ga=17.0dBTYP.@VCE=2V,IC=5mA,f=2GHz NF=1.3dBTYP.,Ga=10.0dBTYP.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

NESG2031M16

HIGHFREQUENCYTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

詳細參數

  • 型號：

    NESG2031M16-A

  • 功能描述：

    射頻硅鍺晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CEL
24+
原廠原裝
5000
原裝正品
 詢價
RENESAS/瑞薩
22+
SOT-563
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應,支持實單!
 詢價
RENESAS/瑞薩
23+
SOT-563
50000
原裝正品 支持實單
 詢價
NEC
23+
SOT563
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
NEC
23+
SOT563
27000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
NEC
04+
SOT563
10000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
NEC
23+
SOT563
12800
##公司主營品牌長期供應100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術
 詢價
NEC
SOT563
30000
集團化配單-有更多數量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價
NEC
23+
SOT563
12500
原廠原裝正品
 詢價
NEC
589220
16余年資質 絕對原盒原盤 更多數量
 詢價
更多NESG2031M16-A供應商 更新時間2025-2-8 14:26:00

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