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NESG2101M05-T1

NPNSiGeRFTransistorforMediumOutputPowerAmplification125mW

NPNSiGeRFTransistorforMediumOutputPowerAmplification(125mW) Flat-Lead4-PinThin-TypeSuperMinimold(M05) FEATURES ?Thedeviceisanidealchoiceformediumoutputpower,high-gainamplificationandlowdistortion,lownoise,high-gainamplification ?PO(1dB)=21dBmTYP.@V

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG2101M05-T1

NECsNPNSiGeHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

DESCRIPTION NECsNESG2101M05isfabricatedusingNECshighvoltageSiliconGermaniumprocess(UHS2-HV),andisdesignedforawiderangeofapplicationsincludinglownoiseamplifiers,mediumpoweramplifiers,andoscillators NECslowprofile,flatleadstyleM05Packageprovideshighfrequencyp

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    NESG2101M05-T1A

  • 制造商：

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述：

    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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RENESAS
18+
SOT343
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保證進(jìn)口原裝可開(kāi)17%增值稅發(fā)票
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NEC
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更多NESG2101M05-T1A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-17 8:30:00

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