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NESG2107M33-T3-A

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NPNSiGeRFTRANSISTORFOR HIGHFREQUENCY,LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 3-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(M33,0804PKG) FEATURES ?ThedeviceisanidealchoiceforOSC,lownoise,high-gainamplification ?SiGetechnologyadopted ?3-pinsuperlead-lessminimold(M33,0804PKG)packa

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG2107M33-T3-A

NECs NPN SILICON TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NESG2107M33-T3-A

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

CEL

California Eastern Labs

NESG2107M33-T3

NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR

NPNSiGeRFTRANSISTORFOR HIGHFREQUENCY,LOWNOISE,HIGH-GAINAMPLIFICATION 3-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(M33,0804PKG) FEATURES ?ThedeviceisanidealchoiceforOSC,lownoise,high-gainamplification ?SiGetechnologyadopted ?3-pinsuperlead-lessminimold(M33,0804PKG)packa

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瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NESG2107M33-T3-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5V

  • 頻率 - 躍遷:

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    7dB ~ 10dB

  • 功率 - 最大值:

    130mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 5mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3 針 SuperMiniMold(M33)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NECELECTRON
16+
原封裝
18514
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價
RENESAS
23+
SOT-723
45000
原裝正品現(xiàn)貨
詢價
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進口原裝 終端工廠免費送樣
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NEC
23+
M33
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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NEC
21+
SOT723
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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NEC
2022
M33
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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NEC
2022+
18890
原廠代理 終端免費提供樣品
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NEC
22+
M33
3000
原裝正品,支持實單
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NEC
2007
M33
1400
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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CEL
2022+
3 針 SuperMiniMold(M33)
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
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