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NESG260234-T1-AZ

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

FEATURES ?Thisproductissuitableformediumoutputpower(1W)amplification Pout=30dBmTYP.@VCE=6V,Pin=15dBm,f=460MHz Pout=30dBmTYP.@VCE=6V,Pin=20dBm,f=900MHz ?MSG(MaximumStableGain)=23dBTYP.@VCE=6V,Ic=100mA,f=460MHz ?UsingUHS2-HVpr

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG260234-T1-AZ

Package:TO-243AA;包裝:托盤 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:TRANS NPN 460MHZ SOT-89

CEL

California Eastern Labs

NESG260234-T1

NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR

FEATURES ?Thisproductissuitableformediumoutputpower(1W)amplification Pout=30dBmTYP.@VCE=6V,Pin=15dBm,f=460MHz Pout=30dBmTYP.@VCE=6V,Pin=20dBm,f=900MHz ?MSG(MaximumStableGain)=23dBTYP.@VCE=6V,Ic=100mA,f=460MHz ?UsingUHS2-HVpr

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NESG260234-T1

NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

NESG260234-T1

3-PINPOWERMINIMOLD

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NESG260234-T1-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    9.2V

  • 功率 - 最大值:

    1.9W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 100mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    600mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3-PowerMiniMold

  • 描述:

    TRANS NPN 460MHZ SOT-89

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
SOT89
30000000
原裝進口中國百強元器件分銷企業(yè) 專注RENESAS十年 公司大量RENESAS現(xiàn)貨 歡迎您的咨詢 百年不變 服務(wù)至上
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更多NESG260234-T1-AZ供應(yīng)商 更新時間2025-2-9 10:15:00