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NESG2107M33-T3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NESG2107M33-T3
廠商型號

NESG2107M33-T3

參數(shù)屬性

NESG2107M33-T3 封裝/外殼為3-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

功能描述

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

封裝外殼

3-SMD,扁平引線

文件大小

244.19 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-21 23:00:00

NESG2107M33-T3規(guī)格書詳情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

HIGH FREQUENCY, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

3-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (M33, 0804 PKG)

FEATURES

? The device is an ideal choice for OSC, low noise, high-gain amplification

? SiGe technology adopted

? 3-pin super lead-less minimold (M33, 0804 PKG) package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NESG2107M33-T3-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5V

  • 頻率 - 躍遷:

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    7dB ~ 10dB

  • 功率 - 最大值:

    130mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 5mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3 針 SuperMiniMold(M33)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
23+
NA/
42300
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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SOT-23
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
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RENESAS/瑞薩
23+
SOT-23
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全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費!
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SOT723
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NEC
06+
SOT23
30000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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RENESAS
23+
SOT-723
45000
原裝正品現(xiàn)貨
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NEC
SOT23
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集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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NEC
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16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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NEC
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M33
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只做進口原裝 終端工廠免費送樣
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