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NESG2107M33分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NESG2107M33
廠商型號(hào)

NESG2107M33

參數(shù)屬性

NESG2107M33 封裝/外殼為3-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

功能描述

NPN SILICON SiGe RF TWIN TRANSISTOR

封裝外殼

3-SMD,扁平引線

文件大小

213.31 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-11 15:22:00

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NESG2107M33規(guī)格書(shū)詳情

NPN SILICON + SiGe RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)

IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (1007 PKG)

FEATURES

? 2 different built-in transistors (2SC5436, NESG2107M33)

Q1: High gain transistor

fT = 12 GHz TYP., ?S21e?2 = 9.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz

Q2: Built-in low phase noise SiGe transistor suited for OSC applications

fT = 10.0 GHz TYP., ?S21e?2 = 9.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

? 6-pin super lead-less minimold package (1007 PKG)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NESG2107M33-T3-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    5V

  • 頻率 - 躍遷:

    10GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    7dB ~ 10dB

  • 功率 - 最大值:

    130mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 5mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3 針 SuperMiniMold(M33)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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