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NESG2101M05-T1-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NESG2101M05-T1-A
廠商型號(hào)

NESG2101M05-T1-A
功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW
文件大小

172.81 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-12 9:30:00
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NESG2101M05-T1-A規(guī)格書詳情

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification (125 mW)

Flat-Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold (M05)

FEATURES

? The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification

? PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, ICq = 10 mA, f = 2 GHz

? NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz

? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    NESG2101M05-T1-A

  • 功能描述：

    射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS
24+
SOT343
36000
一級(jí)代理/全新現(xiàn)貨/長(zhǎng)期供應(yīng)!
 詢價(jià)
RENESAS
23+
SOT343
6850
只做原廠原裝正品現(xiàn)貨!假一賠十!
 詢價(jià)
RENESAS
12+
SOT343
3000
詢價(jià)
NEC
08+
SOT-343
19500
詢價(jià)
CEL
2022+
SOT-343
20000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨.假一罰十
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
SOT-343
50000
原裝正品 支持實(shí)單
 詢價(jià)
CEL
新年份
SOT-343
15000
原裝正品大量現(xiàn)貨,要多可發(fā)貨,實(shí)單帶接受價(jià)來談!
 詢價(jià)
RENASAG
24+
SOT-343
2000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
NEC
23+
NA/
3600
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價(jià)
RENESAS
2020+
SOT343
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價(jià)

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