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NESG270034-T1-AZ分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NESG270034-T1-AZ
廠商型號

NESG270034-T1-AZ

參數(shù)屬性

NESG270034-T1-AZ 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI

功能描述

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

349.47 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-25 23:00:00

NESG270034-T1-AZ規(guī)格書詳情

NESG270034-T1-AZ屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NESG270034-T1-AZ晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NESG270034-T1-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    9.2V

  • 功率 - 最大值:

    1.9W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 100mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    750mA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝:

    3-PowerMiniMold

  • 描述:

    TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI

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