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NESG270034-T1-AZ分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
NESG270034-T1-AZ |
參數(shù)屬性 | NESG270034-T1-AZ 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI |
功能描述 | NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (2 W) 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG) |
封裝外殼 | TO-243AA |
文件大小 |
349.47 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
企業(yè)簡稱 |
CEL |
中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-25 23:00:00 |
NESG270034-T1-AZ規(guī)格書詳情
NESG270034-T1-AZ屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NESG270034-T1-AZ晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
NESG270034-T1-AZ
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
9.2V
- 功率 - 最大值:
1.9W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 100mA,3V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
750mA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-243AA
- 供應商器件封裝:
3-PowerMiniMold
- 描述:
TRANSISTOR NPN 25V 3-MINI
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA/ |
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RENESAS/瑞薩 |
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